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SK海力士于2017年11月推出了全球首款16層HBM3E產(chǎn)品，進一步鞏固了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)方面的領(lǐng)導地位。這款16層HBM3E產(chǎn)品主要面向高性能計算應用，如人工智能（AI）、圖形處理和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，滿足日益增長的內(nèi)存帶寬需求。SK海力士在內(nèi)部分析中指出，與12層版本相比，16層HBM3E在學習領(lǐng)域的性能提升了18%，推理領(lǐng)域則提升了32%。這一顯著的性能提升預計將推動新型內(nèi)存技術(shù)的廣泛應用，并加速AI和高性能計算領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展。
SK海力士的16層HBM3E產(chǎn)品采用了先進的MR-MUF工藝，該工藝在12層產(chǎn)品中已經(jīng)展現(xiàn)出量產(chǎn)競爭力。此外，公司還在開發(fā)混合鍵合技術(shù)，以確保新產(chǎn)品的可靠性和生產(chǎn)效率。16層產(chǎn)品的設(shè)計旨在解決現(xiàn)代AI訓練和推理中對內(nèi)存帶寬和性能的苛刻要求。公司預計在2025年起正式量產(chǎn)48GB容量的16層HBM3E產(chǎn)品，為AI和圖形處理領(lǐng)域的技術(shù)進步提供支持。
此外，SK海力士也計劃在2025年到2027年間開發(fā)HBM4E，并在2028至2030年期間推出HBM5和HBM5E。這些未來的內(nèi)存產(chǎn)品將通過滿足不同客戶的需求，優(yōu)化容量、帶寬和附加功能，進一步推動高帶寬內(nèi)存的進步。SK海力士的未來產(chǎn)品路線圖顯示，定制化的HBM技術(shù)將使客戶能夠根據(jù)其特定需求選擇合適的內(nèi)存解決方案。
除了在HBM技術(shù)方面的進展，SK海力士還在開發(fā)其他未來的內(nèi)存技術(shù)，例如LPCAMM2模塊、基于1nm工藝的LPDDR5和LPDDR6、PCIe第六代固態(tài)硬盤（SSD）以及基于大容量四級單元（QLC）的eSSD和UFS 5.0。這些新技術(shù)不僅服務(wù)于未來的個人電腦和數(shù)據(jù)中心，也為各類高性能計算應用提供更高效的存儲解決方案。
SK集團董事長崔泰源在2024年SK AI峰會上宣布，SK海力士將在未來與Nvidia和臺積電等重要合作伙伴密切合作，共同解決人工智能領(lǐng)域面臨的技術(shù)瓶頸。他強調(diào)，AI技術(shù)的發(fā)展需要強大的高帶寬內(nèi)存支持，而SK海力士作為全球領(lǐng)先的HBM供應商，致力于提供滿足AI應用需求的解決方案。
崔泰源還透露，SK海力士正在為Nvidia加速生產(chǎn)更先進的HBM4芯片，并計劃將量產(chǎn)時間提前六個月，以滿足Nvidia日益增長的內(nèi)存需求。這一合作不僅有助于SK海力士擴大在AI領(lǐng)域的市場份額，也進一步加速了其在高性能內(nèi)存市場的競爭力。
在這一過程中，三星電子也在加速其HBM4產(chǎn)品的研發(fā)，并計劃于2025年底開始量產(chǎn)。盡管三星在AI應用的內(nèi)存領(lǐng)域展開了激烈競爭，但SK海力士憑借其在高帶寬內(nèi)存（HBM）方面的技術(shù)優(yōu)勢，尤其是在AI芯片市場中的出色表現(xiàn)，正在超越三星。
總體來說，SK海力士通過不斷推動HBM技術(shù)的創(chuàng)新，增強與全球科技巨頭Nvidia、臺積電的合作，正逐步奠定其在AI領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導地位。隨著AI和高性能計算需求的快速增長，SK海力士的16層HBM3E產(chǎn)品和未來的HBM4、HBM5技術(shù)無疑將在全球市場中占據(jù)重要席位，助力AI技術(shù)的進一步發(fā)展。
