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根據(jù)TrendForce的最新報告，預(yù)計到2025年，全球DRAM位產(chǎn)量將同比增長25%。其中，若不考慮中國的擴張產(chǎn)能，這一增幅將降至21%。然而，中國的產(chǎn)能增長主要是為了滿足國內(nèi)市場需求，因此對全球市場的影響相對有限。
除了傳統(tǒng)的PC、服務(wù)器、移動設(shè)備、圖形和消費類DRAM之外，HBM（高帶寬內(nèi)存）也逐漸被納入到DRAM的產(chǎn)品組合中。值得注意的是，除去HBM的產(chǎn)量增長，傳統(tǒng)DRAM的比特產(chǎn)量到2025年預(yù)計僅將增加20%，顯示出DRAM市場的增速有所放緩。
如果剔除HBM的增長因素和中國新增的產(chǎn)能，全球三大DRAM廠商（三星、SK海力士、美光）在未來幾年的位產(chǎn)量增長將會顯著降低，僅預(yù)計增長15%。這一數(shù)據(jù)反映了DRAM市場逐漸趨于穩(wěn)定，且競爭壓力不斷加大，尤其是在技術(shù)升級和市場需求轉(zhuǎn)型的背景下。
此外，HBM的供應(yīng)情況，特別是HBM3e版本，預(yù)計將持續(xù)緊張。HBM3e作為最新一代高帶寬內(nèi)存，其高性能和低功耗特點使其在高端計算和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中備受青睞。隨著AI、機器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)等高性能計算需求的激增，HBM3e的需求也在不斷上升。然而，供應(yīng)鏈的瓶頸、技術(shù)難度以及生產(chǎn)工藝的挑戰(zhàn)，都可能導(dǎo)致HBM的供應(yīng)在短期內(nèi)難以滿足市場需求。
因此，雖然全球DRAM市場整體增長強勁，但高帶寬內(nèi)存（HBM）的供應(yīng)緊張，以及中國市場的特殊需求結(jié)構(gòu)，都可能成為影響未來幾年的DRAM市場格局的重要因素。DRAM廠商將面臨更加復(fù)雜的市場環(huán)境，需要在生產(chǎn)能力、技術(shù)創(chuàng)新和市場戰(zhàn)略上進(jìn)行精細(xì)調(diào)整，以應(yīng)對不斷變化的需求和激烈的競爭。4o
